等離子刻蝕機

簡要描述：PlasmaSTAR®模塊化腔室和電極組件是該系統的*功能。腔室材料是硬質陽極氧化鋁，有幾種不同的電極設計，包括用于反應離子刻蝕（RIE）和平面處理的水冷平板電極，用于表面清洗或處理的交替多層托盤電極，用于小化離子損傷的下游電極，和用于普通的圓柱形籠式電極。

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詳細介紹

型號：反應離子刻蝕機PlasmaStar 200/200RIE

產地： 美國

品牌： Axic

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技術規格：

型號	PlasmaStar 100	PlasmaStar 100RIE	PlasmaStar 200	PlasmaStar 200RIE
艙體尺寸	直徑254×深度356mm	直徑200×深度280mm	寬305×高305×深406mm	寬305 ×高200×深406mm
艙體材質	標配為陽極氧化鋁艙體
常用氣體	空氣，氧氣，氫氣，氬氣，氮氣，CF4，SF6等和其他混合氣體
氣路控制	標配2路MFC，PlasmaStar 100多可選配4路，		標配2路MFC，PlasmaStar 200多可選配5路；
控制系統	電阻觸摸屏操作界面
程序控制	PC觸屏控制，可編程序，無線存儲數據
射頻頻率	13.56 MHz
射頻功率	0~600W瓦之間距連續可調，自動匹配		0~1000W瓦之間距連續可調，自動匹配
電極設計	標準圓柱形籠式電極；		標準圓柱形籠式電極；可選交替多層托盤電極；可選RIE平面處理水冷平板電極
設備尺寸	寬800 x 深850 x 高525mm；		寬1033 x 深850 x 高635mm；

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